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半导体芯片清洗工艺流程

发布时间:2023-11-12 浏览次数:4983次

 

半导体芯片清洗工艺流程

 



半导体芯片的清洗工艺流程对于芯片的品质和有效性有着重要的影响。下面以Intel公司的一款CPU芯片为例,介绍半导体芯片的清洗工艺流程。

 

一、剪切

 

CPU芯片先通过切割机在晶圆上进行剪切,将晶圆切割成40个独立的芯片。

 

二、灰尘预处理

 

每个芯片进入洁净室后,首先要将附着在芯片表面的灰尘和微粒清理干净。此时通过电离子风机和过滤HEPA级过滤器将周围的空气过滤掉,并将芯片表面上的灰尘等粒子通过高压气体去除。

 

三、前处理

 

接着进入前处理,即在芯片表面覆盖一层对于后续步骤中有保护作用的硅氧化物SiO2薄膜。这留下了一个平滑的表面用于随后的工艺。

 

四、酸性清洗

 

下一步是酸性清洗。CPU芯片在生产过程中会有许多不纯物质附着在表面上,因此需要将芯片浸入酸性清洗液中进行清洗,以去除附着的不纯物质。Intel公司使用的酸性清洗液是HF(氟化氢)和HCl(盐酸)的混合物,清洗时间为45秒。

 

五、去膜处理

 

经过酸性清洗后,芯片表面留下的保护膜需要去除。这是通过浸泡芯片在去膜液中实现的,去膜时间为40秒。Intel公司使用的去膜液是H2SO4(硫酸)和H2O2(过氧化氢)的混合物。

 

六、去离子水清洗

 

去膜后,CPU芯片的表面需要再经过去离子水清洗,以彻底除去任何清洗剂留下的物质。芯片会在DI水槽中浸泡5秒钟,然后使用高压气体轻轻吹干芯片表面的水滴。

 

七、干燥

 

最后一步是干燥。电阻子干燥机会将芯片置于120摄氏度的高温下,以去除表面剩余的水分。整个清洗流程结束后,CPU芯片已经准备好投产。

 

总结

 

如上所述,半导体芯片的清洗工艺流程涉及多个步骤,以确保芯片的表面完全干净。这些步骤包括剪切、灰尘预处理、前处理、酸性清洗、去膜处理、去离子水清洗和干燥。对于Intel的这款CPU芯片,清洗流程中使用的化学清洗液包括氟化氢、盐酸、硫酸、过氧化氢和去离子水。这样可以确保芯片表面的干净和品质。

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